半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244188
Publication number (International publication number)：1995106276
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】フッ素(F)イオンによる層間絶縁膜の腐食を防止する。【構成】Si基板1の一主面にBF2 + 4のイオン注入により不純物拡散層5を形成したのち850〜950°Cの温度範囲で熱処理を行う。次でBPSG膜7を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとしBF2 + をイオン注入し拡散層を形成する工程と、拡散層が形成された前記基板を850〜950°Cで熱処理しフッ素イオンを除去したのち全面に層間絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/265 A , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-263836 Applicant：富士通株式会社
特開平1-102966
特開昭63-155720

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