プラズマCVDによる成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993277897
Publication number (International publication number)：1995109576
Application date： Oct. 07, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD法にて基板表面に未分解元素の含有量の少ない薄膜を形成する。【構成】排気された反応室1内に放電用ガス、原料分解用ガスを連続的に導入し、成膜用原料ガスはバルブ開閉制御機33にてその開閉を行うピエゾバルブA、Bの間欠的開閉によって断続的に導入し、基板2と電極3との間に電力を供給することによって、導入した原料を分解し、上記ピエゾバルブA、Bの間欠的開閉によって原料分解物の基板2表面への堆積過程と堆積物中の未分解元素の除去過程とを別個に設定できるようにした。

Claim (excerpt)：

排気された反応室に複数の成膜用原料ガス、放電ガスおよび原料分解用ガスを導入し、上記反応室に間隔を隔てて設けた基板と電極との間に電力を供給して、上記原料ガスを分解させ、上記基板表面に皮膜を形成させるプラズマCVDによる成膜方法において、上記複数の成膜用原料ガスを間欠的に導入して、基板表面への上記原料ガス分解物の堆積過程と堆積物中の未分解元素の除去過程とを別個に設定するとともに、この両過程を周期5秒以下で繰り返し行うことを特徴とするプラズマCVDによる成膜方法。

IPC (2)：

C23C 16/50 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-361531
パルスプラズマCVDによる成膜方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-340403 Applicant：神港精機株式会社
特開平4-210479

Show all

Return to Previous Page