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J-GLOBAL ID：200903087190047516
プラズマエッチング方法とその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334488
Publication number (International publication number)：1994267900
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ中の解離反応やイオン温度を制御しエッチング特性を高精化する。また、基板に蓄積する電荷を抑制する。【構成】 ECRプラズマ用マイクロ波を10kHz以上の周波数でパルス変調する。プラズマ中のラジカル生成割合を制御できエッチング時の選択性を制御できる。プラズマ中の不安定性を抑制でき、イオン温度を低下できる。プラズマ照射時に蓄積する電荷量をおさえることができる。
Claim (excerpt)：
高周波電界により励起されたプラズマを基板に照射して基板のエッチングを行うプラズマエッチング方法において、導入するプラズマ生成用高周波電界が10kHz以上の周波数でパルス変調されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
