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J-GLOBAL ID：200903087198359932

炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 加藤 正史 ,  市村 正也 ,  荒井 英輔
Applicant, Patent owner： 財団法人名古屋産業科学研究所
Agent (1)： 後呂 和男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001324997
Publication number (International publication number)：2003133308
Application date： Oct. 23, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】炭化ケイ素基板に対して、陽極酸化により効率的に酸化膜を形成可能な酸化膜製造方法および装置を提供することにある。【解決手段】炭化ケイ素基板に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ陽極酸化を行う。これにより、短時間で厚みの大きい酸化膜を形成できる。また、熱酸化法と異なり室温で処理可能であるため、酸化膜を簡易に形成できるとともに、炭化ケイ素基板において酸化膜を形成しない内層部分の品質を保持することができる。さらに、本発明の酸化膜製造方法を半導体素子の製造工程において、犠牲酸化、素子間分離膜の形成、ゲート酸化膜の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。

Claim (excerpt)：

電解液中に、炭化ケイ素基板からなる陽極と、この陽極と対をなす陰極とを設け、両電極間に電位差を与えて前記炭化ケイ素基板の表面に陽極酸化法により酸化膜を形成させる酸化膜製造方法であって、前記炭化ケイ素基板に炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ、両電極間に電位差を与えることを特徴とする酸化膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 T ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/76 M

F-Term (17)：

5F032AA11 ,  5F032CA01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032DA24 ,  5F032DA54 ,  5F058BC02 ,  5F058BF70 ,  5F058BF71 ,  5F058BF78 ,  5F140AA19 ,  5F140AA40 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140CB00