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J-GLOBAL ID：200903087200118743

窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ

Inventor： 木原 倫夫 ,  古屋 貴士 ,  土屋 忠厳 ,  坂口 春典
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999109444
Publication number (International publication number)：2000299325
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電子移動度が高く、ピンチオフ特性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 サファイア基板12の格子定数がGaNの格子定数より大きいため、GaN層10、11、14が引張り応力を受けるが、un-GaN層14上に格子定数の小さいun-AlGaN層13を形成することにより、GaN層10、11、14は逆に圧縮応力を受け、応力歪みの影響を緩和することができる。応力歪みの影響が減少したことにより、電子移動度が大きくなる。また、un-AlGaN層13上部に生じる正のピエゾ電荷によってピンチオフ特性が向上する。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、GaNバッファ層とチャネル層との間に、GaNよりも格子定数の小さい層を一層以上挿入したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/205

F-Term (19)：

5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045DA69 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-142221   Applicant：ソニー株式会社