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J-GLOBAL ID：200903087229889587

強誘電体記憶装置

Inventor： 杉山 寿伸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995099257
Publication number (International publication number)：1996212771
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】プレート電極の電位を固定したままでデータの読み出しが行え、また読み出し時間を短くできる強誘電体記憶装置を実現する。【構成】書き込み時には強誘電体キャパシタFC1,FC2のプレート電極の電位をVCC/2に固定し、スイッチングトランジスタTr1,Tr2を所定期間導通させ、ビット線BL1,BL2にプレート電極を挟んで高低の電位VCCおよび0Vを印加して強誘電体キャパシタの分極状態を設定する。読み出し時は、プレート電極の電位をVCC/2に固定し、スイッチングトランジスタTr1,Tr2を所定期間導通させ、このときのビット線BL1,BL2の電位変化の差を検出し、その差によりビット線BL1,BL2をプレート電極の電位より高いかまたは低い電位VCCおよび0Vにラッチさせ、そのときに強誘電体キャパシタFC1,FC2の両端に印加される電圧により再度データの書き込みを行う。

Claim (excerpt)：

ビット線に接続されたスイッチングトランジスタと、当該スイッチングトランジスタに直列接続された強誘電体キャパシタとの組み合わせ2組によって1ビットが構成され、それぞれの強誘電体キャパシタは異なる方向に分極され、その分極の方向により2値のデータを記憶する強誘電体記憶装置であって、書き込み動作時に、強誘電体キャパシタ端のプレート電極を一定の電位に固定し、スイッチングトランジスタを所定期間だけ導通させる手段と、2本のビット線に、プレート電極の電位を挟んで高低の電位をそれぞれ印加する手段とを有する強誘電体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-283176
  
• 特開平2-094473
  
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-015302   Applicant：松下電子工業株式会社