Pat
J-GLOBAL ID:200903087295117552

半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩野 平 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995231552
Publication number (International publication number):1997080070
Application date: Sep. 08, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 錘の位置合わせが容易で、しかも重心が中央に位置する錘を容易に形成できる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 固定部1Aと、錘3Aが接合され加速度により力を受ける作用部1Bと、これら固定部1Aと作用部1Bとを接続すると共に、ピエゾ抵抗素子が形成される可撓部1Cとを備え、前記錘3Aは前記作用部1Bの所定位置に設けた金属薄膜2上に配設される低融点金属体3の溶着により形成される。
Claim (excerpt):
固定部と、錘が接合されると共に加速度により力を受ける作用部と、これら固定部と作用部とを接続すると共に感歪素子を備える可撓部とを有する半導体加速度センサにおいて、前記錘は金属薄膜を介して前記作用部に接合されたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (2):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-339266
  • 加速度計及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-062868   Applicant:富士通株式会社
  • 特開平4-339266

Return to Previous Page