ポリシラザンをベースとする材料による高アスペクト比の分離構造体の充填

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004159279
Publication number (International publication number)：2004363595
Application date： May. 28, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】分離構造体を形成する前に、少なくとも1つのp-n接合または異なる材料の界面を有するシリコン集積回路内の分離トレンチを充填するための方法を提供する。【解決手段】シラザンをベースとし、低い分子量を有するスピン・オン材料を塗布するステップと、約450°Cを超えない温度において酸素雰囲気内で、上記塗布した材料を予備ベーキングするステップと、H2O雰囲気内で450°C〜800°Cの範囲内の中間温度で加熱することにより上記材料の応力を変換するステップと、O2雰囲気内で高温で再び加熱し、その結果、プロセス・パラメータを変えることにより、調整することができる圧縮応力を有し、HDP技術により形成した酸化物誘電体に匹敵するエッチング速度を有するCMP研磨に十分耐える耐久性を有する最高1000°Cまで安定な材料が得られるステップを含むプロセスによる、最高60までのアスペクト比を有する垂直FET(または、任意の前のレベルのp-n接合または異なる材料界面)を含む分離トレンチおよびキャパシタ・トレンチの充填。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

それに関連する温度許容度を有する一組の熱感知回路素子と一組の分離トレンチとを含む集積回路を形成するための方法であって、シリコン基板を供給するステップと、前記分離構造を形成する前に、ある温度許容度を有する少なくとも1つの回路素子を形成するステップと、前記シリコン基板内に前記一組のトレンチをエッチングするステップと、前記一組のトレンチを、シラザンを含むスピン・オン・トレンチ誘電体で充填するステップと、約450°Cを超えない温度で前記基板を加熱するステップと、約450°Cから約900°Cの範囲内の温度で、H2Oを含む雰囲気内で加熱することにより、前記トレンチ誘電体の応力を引張り応力から圧縮応力に変換するステップと、 800°Cを超える温度でO2を含む雰囲気内で加熱することにより前記基板をアニーリングするステップと、前記集積回路を完成するステップとを含む方法。

IPC (3)：

H01L21/76 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (2)：

H01L21/76 L , H01L27/10 681D

F-Term (15)：

5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA49 , 5F032AA77 , 5F032BA02 , 5F032BA03 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F083AD03 , 5F083NA01 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

英国特許GB2361937号
米国特許出願番号US2002/0072246 A1号

Cited by examiner (2)

半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-005050 Applicant：三星電子株式会社
ステップ移動素子を含むトレンチ記憶DRAMセル及びそれを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-015277 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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