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J-GLOBAL ID：200903087348967650

シリコンウエハの微小欠陥の評価方法

Inventor：
荒木 延恵

About 荒木 延恵


Applicant, Patent owner：
東芝セラミックス株式会社

About 東芝セラミックス株式会社


Agent (1)： 木下 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001341743
Publication number (International publication number)：2003142544
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 鏡面加工により平滑化されたシリコンウエハ表面において、光散乱式表面検査装置の検出下限界よりも小さいサイズの微小欠陥を検出することができ、しかも、ウエハ表面だけでなく、その上に形成されるデバイスの性能に影響を及ぼすウエハ表層内部に存在する微小欠陥をも検出することができるシリコンウエハの微小欠陥の評価方法を提供する。【解決手段】 鏡面加工されたシリコンウエハ表層部に存在する微小欠陥を、光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの微小欠陥の評価方法において、前記シリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出した後、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を形成したシリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出することを特徴とするシリコンウエハの微小欠陥の評価方法を用いる。
Claim (excerpt)：
鏡面加工されたシリコンウエハ表層部に存在する微小欠陥を、光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの微小欠陥の評価方法において、前記シリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出した後、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を形成したシリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出することを特徴とするシリコンウエハの微小欠陥の評価方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/956
FI (4)：
H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 A ,  G01N 21/956 A
F-Term (17)：
2F065AA49 ,  2F065AA60 ,  2F065BB01 ,  2F065CC19 ,  2F065FF42 ,  2F065GG04 ,  2F065TT06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051CB05 ,  2G051EA16 ,  2G051EB02 ,  2G051EC01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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