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J-GLOBAL ID：200903087355970071

研磨剤、研磨方法、および半導体装置の製造方法

Inventor： 岸井 貞浩 ,  大石 明良 ,  鈴木 隣太郎 ,  塙 健三 ,  植田 成生
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169057
Publication number (International publication number)：1997022888
Application date： Jul. 04, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 絶縁層上に堆積された導体層を研磨して、前記絶縁層中に形成された凹部を埋めるように導体パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、研磨工程の際に生じる前記導体パターン中のシームの侵食を最小化する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 前記導体層を、MnO2 を砥粒として含む研磨剤により、前記絶縁層に対して選択的に、液体酸化剤を使うこと無く研磨し、さらに酸処理により残留しているMnO2 を溶解・除去する。

Claim (excerpt)：

MnO2 またはMnO2 を主成分とする砥粒を含む研磨剤。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24D 3/00 320

FI (4)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 S ,  B24D 3/00 320 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260086   Applicant：ビューラーリミテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231283   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭48-034396
  
• 特開昭64-087930
  

Cited by examiner (4)

• メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260086   Applicant：ビューラーリミテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231283   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭48-034396
  
• 特開昭64-087930