半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231283
Publication number (International publication number)：1995086216
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、研磨後の研磨粒子の残存量を極力少なくし、ディッシング等を起こすことなく研磨することができ、良好に膜の平坦化、埋め込み金属配線形成等を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】有機高分子化合物からなる球形粒子または少なくとも炭素を主成分とする球形粒子19を研磨粒子として用いて被加工膜を研磨する工程を具備することを特徴としている。特に、研磨後に前記研磨粒子19を燃焼させることにより除去することが好ましい。

Claim (excerpt)：

有機高分子化合物からなる粒子または少なくとも炭素を主成分とする粒子を研磨粒子として用いて被加工膜を研磨する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

結晶性薄膜の研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349600 Applicant：イビデン株式会社
特開昭63-160338
特開昭63-160341

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