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J-GLOBAL ID:200903087431939170

誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998366969
Publication number (International publication number):2000185971
Application date: Dec. 24, 1998
Publication date: Jul. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】1500よりも高い比誘電率εrを有し、かつ誘電損失tanδが0.2%以下の誘電体磁器および積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属酸化物による原子比による組成式を(Sr1-v-w-x-y Mgv Caw Pbx Biy )Tiz O3+a と表した時、v、w、x、yおよびzが、0.01≦v≦0.05、0≦w≦0.20、0.05≦x≦0.20、0.01≦y≦0.30、1.00≦z≦1.20、v+w+x+y≦0.50(aは過剰酸素量)を満足するものを主成分とし、X線回折におけるペロブスカイト型結晶相の(110)面の主ピークと、ペロブスカイト型結晶相の(100)面の主ピークとの間にBiを含有する結晶のピークが存在し、該Bi含有結晶相のピークの強度が、(110)面の主ピークの強度の3%以下のものである。
Claim (excerpt):
金属元素として少なくともSr、Mg、Pb、Bi、Tiを含有し、これらの金属元素の原子比による組成式を(Sr1-v-w-x-y Mgv Caw Pbx Biy )Tiz O3+aと表した時、前記v、w、x、yおよびzが0.01≦v≦0.050 ≦w≦0.200.05≦x≦0.200.01≦y≦0.301.00≦z≦1.20v+w+x+y≦0.50(aは過剰酸素量)を満足するものを主成分とし、かつペロブスカイト型結晶相を主結晶相とする誘電体磁器であって、X線回折における前記ペロブスカイト型結晶相の(110)面の主ピークと、前記ペロブスカイト型結晶相の(100)面の主ピークとの間に、Biを含有する結晶のピークが存在し、該Bi含有結晶相のピーク強度が、前記(110)面の主ピークの強度の3%以下であることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (5):
C04B 35/46 ,  H01B 3/02 ,  H01B 3/12 302 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
FI (5):
C04B 35/46 C ,  H01B 3/02 A ,  H01B 3/12 302 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
F-Term (38):
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA11 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031GA02 ,  5E001AB03 ,  5E001AC10 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB07 ,  5G303BA02 ,  5G303CA01 ,  5G303CA03 ,  5G303CB02 ,  5G303CB05 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB25 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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