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J-GLOBAL ID：200903087446588099
窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343525
Publication number (International publication number)：1999177135
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 従来例の半導体素子構造においては、例えば発光素子の場合、pn接合部が大気に晒され、大気中の酸素、炭素、水分等と結合して、非発光準位を形成し、発光効率の低下が生じていた。【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系半導体素子Mgを含む窒化ガリウム系半導体層の一部が、同じ組成の層の他の部位に対して高抵抗化されていることを特徴とするものである。また、温度400°C以上の水素を含む雰囲気下で熱処理することにより、前記Mgを含む窒化ガリウム系半導体層が高抵抗化されてなることを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
Mgを含む窒化ガリウム系半導体層の一部が、同じ組成の層の他の部位に対して高抵抗化されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
Cited by examiner (6)
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