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J-GLOBAL ID:200903087460043747
半導体パワーモジュール
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998305484
Publication number (International publication number):2000133768
Application date: Oct. 27, 1998
Publication date: May. 12, 2000
Summary:
【要約】【課題】 主回路で発生する損失熱を十分に放散できると共に、耐ノイズ性に優れ、低コストで製造できる半導体パワーモジュールを得る。【解決手段】 金属板2、絶縁層3および銅箔パターン4からなる絶縁金属基板1における銅箔パターン4にて、パワー半導体素子20を載置する主回路用パターン部4aと制御半導体素子21を載置する制御回路用パターン部4bとを直線状の分離帯を挟んで分離形成し、かつ、絶縁金属基板1をケース7に収納して樹脂封止した構造とし、パワー半導体素子20で発生するノイズによる制御半導体素子21の誤動作を防止すると共に主回路と制御回路とを同一平面上に形成することにより部品実装を容易とし、耐ノイズ性の向上と製造コストの低減を図った。
Claim (excerpt):
金属板の一主面上に配設された絶縁層上に、パワー半導体素子を載置した複数の主回路導体領域を有する主回路ブロックおよび制御半導体素子を載置した複数の制御回路導体領域を有する制御回路ブロックを備えた半導体パワーモジュールにおいて、前記主回路ブロックおよび前記制御回路ブロックは直線状の分離帯で分離されると共に、前記パワー半導体素子および前記制御半導体素子が前記直線状の分離帯に略平行に配列されるように前記複数の主回路導体領域および前記複数の制御回路導体領域が配設され、かつ、前記複数の主回路導体領域の一端部が前記直線状の分離帯より離れる方向に導出されて主電流入出力用外部リード端子が形成されたことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-278903
Applicant:三菱電機株式会社
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