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J-GLOBAL ID：200903087524591204

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 田中 均 ,  岩井 大介
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999074477
Publication number (International publication number)：2000269231
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】現状のプロセス技術を用いてコレクタ抵抗を低減することにより、動作特性がよく安定に動作するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板1の上にコレクタコンタクト層20と、コレクタ層9と、コレクタ電極7と、ベース層11と、エミッタ層15と、ベース電極13と、エミッタコンタクト層17と、エミッタ電極19とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、コレクタコンタクト層20とエミッタコンタクト層17のうち少なくとも一方を、半導体基板1と格子整合する窒素を含むIII-V族化合物半導体材料によって形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に、コレクタコンタクト層と、該コレクタコンタクト層の第一の領域に形成された第一導電型のコレクタ層と、前記コレクタコンタクト層の第二の領域に形成されたコレクタ電極と、前記コレクタ層の上に形成された第二導電型のベース層と、該ベース層の第一の領域に形成されたベース電極と、前記ベース層の第二の領域に形成された第一導電型のエミッタ層と、該エミッタ層の上に形成されたエミッタコンタクト層と、該エミッタコンタクト層の上に形成されたエミッタ電極とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、前記コレクタコンタクト層と前記エミッタコンタクト層のうち少なくとも一方は、前記半導体基板と格子整合するIII-V族化合物半導体材料によって形成され、該III-V族化合物半導体材料が窒素を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

F-Term (10)：

5F003BA92 ,  5F003BC02 ,  5F003BC04 ,  5F003BC05 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BE05 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BN02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III-V族合金半導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-191985   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平3-064031
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-177595   Applicant：日本電気株式会社