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J-GLOBAL ID:200903087534851999

半導体超微粒子含有ポリマー粒子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996050202
Publication number (International publication number):1997050057
Application date: Mar. 07, 1996
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【解決手段】 半導体超微粒子が生成する溶液中に不飽和結合を有する単官能基性モノマー、複官能基性モノマーを共存させ、特定波長の光を照射しながら生成反応を行うことにより粒子径の揃った半導体超微粒子含有ポリマー粒子が製造できる。さらに該半導体超微粒子含有ポリマー粒子を、アンモニア、アミン類で処理し、さらに加熱処理を行うことで、半導体超微粒子の光吸収波長端の発光強度を強め、その発光の減衰速度が非常に高速になる半導体超微粒子含有ポリマー粒子が製造できる。【効果】 粒径が制御され、かつ安定化された半導体超微粒子含有ポリマー粒子が得られる。さらにこの材料の光吸収波長端の発光強度を強め、その発光減衰速度が非常に高速になる半導体超微粒子含有ポリマー粒子を合成することができ、3次の非線形特性を有する分散体が得られる。
Claim (excerpt):
単官能基性モノマーと複官能基性モノマーの共存下、光重合反応を、光を吸収した1次粒子である半導体超微粒子表面あるいはその近傍で起こらしめて得られる2次粒子からなる半導体超微粒子含有ポリマー粒子。
IPC (6):
G02F 1/35 503 ,  C08F 2/48 MDH ,  C08J 7/18 CEY ,  C08K 9/04 KCP ,  C08L101/00 LSY ,  B01J 19/12
FI (6):
G02F 1/35 503 ,  C08F 2/48 MDH ,  C08J 7/18 CEY ,  C08K 9/04 KCP ,  C08L101/00 LSY ,  B01J 19/12 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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