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J-GLOBAL ID：200903087583482036

カーボンナノチューブ及びその作製方法、電子放出源

Inventor： 村上 明繁 ,  中山 喜萬 ,  秋田 成司 ,  張 梅
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  中山 喜萬
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000125574
Publication number (International publication number)：2001220674
Application date： Apr. 26, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 簡易な方法により、平滑な基板表面に基板からほぼ垂直に配向されたカーボンナノチューブを得ること。また、その応用製品を得ること。【解決手段】 平滑な表面を有する基板101上のFeからなる触媒層102を条圧CVD装置110に挿入し、アセチレン、エチレンの少なくても一つを用い、基板温度が675〜750°Cの常圧CVD法によってカーボンナノチューブ103を成長させて作製した。また、カーボンナノチューブ103の応用製品としてエミッタ、電子放出源を得た。

Claim (excerpt)：

平滑な表面を有する基板上にFeからなる触媒層を形成し、アセチレンを用いた常圧CVD(chemical vapor deposition)法によって、基板からほぼ垂直に配向したカーボンナノチューブを作製する方法であって、前記CVD法での基板温度を675〜750°Cとしたことを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  H01J 9/02

FI (3)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 F ,  H01J 9/02 B

F-Term (11)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• カーボンナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175498   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
• カーボンソースガス分解用触媒金属膜を用いたカーボンナノチューブの低温合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-178515   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック

Cited by examiner (1)

• カーボンナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175498   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• Synthesis of uniformly distributed carbon nanotubes on a large area of Si substrates by thermal chem
• Synthesis of aligned carbon nanotubes using thermal chemical vapor deposition
• Catalytic production and purification of nanotubules having fullerene-scale diameters
• Direct growth of alined open carbon nanotubes by chemical vapor deposition