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J-GLOBAL ID：200903087603422620

薄膜トランジスタの作製方法

Inventor： 森末 将文 ,  藤井 厳
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005083179
Publication number (International publication number)：2005311335
Application date： Mar. 23, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】液滴吐出法を用いて、液滴吐出装置の吐出位置精度にかかわらず、自己整合的に薄膜トランジスタを作製する方法を提供する。【解決手段】有機樹脂膜107などを塗布し、有機樹脂膜107をエッチバックや露光、現像などの方法を用いて所望の形状に加工し、所望の形状を有する有機樹脂膜をマスクとして一導電型の不純物を含有する半導体層104をエッチングし、所望の形状を有する有機樹脂膜を利用して、ぬれ性の異なる領域を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、 前記半導体層上に一導電型の不純物を含有する半導体層を形成し、 前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に第1のマスクを形成し、 前記半導体層、および前記一導電型の不純物を含有する半導体層の前記第1のマスクにより覆われていない部分をエッチングし、 前記第1のマスクを除去し、 前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に第2のマスクを形成し、 前記一導電型の不純物を含有する半導体層の前記第2のマスクによりに覆われていない部分をエッチングし、 前記第2のマスク上面および前記半導体層上面にぬれ性の低い領域を形成する溶液を吐出又は塗布し、ぬれ性の低い領域を形成し、 前記ぬれ性の低い領域が形成された前記第2のマスクを除去することにより前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、 前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (4)：

H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (3)：

H01L29/78 627C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

F-Term (104)：

2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA15 ,  2H092KA18 ,  2H092KB01 ,  2H092KB04 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA23 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092MA42 ,  2H092NA18 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA02 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG26 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138906   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 成膜装置及び成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-364943   Applicant：東京エレクトロン株式会社