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J-GLOBAL ID：200903087655602163

単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法

Inventor：
元木 健作

About 元木 健作

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弘田 龍

About 弘田 龍

, 
岡久 拓司

About 岡久 拓司

, 
中畑 成二

About 中畑 成二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002269387
Publication number (International publication number)：2003183100
Application date： Sep. 17, 2002
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。【解決手段】 下地基板の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセットよりなる直線状のV溝(谷)を形成しこれを維持しながらGaNをファセット成長させファセット面よりなるV溝(谷)底部に欠陥集合領域Hを形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yを低転位化する。欠陥集合領域Hは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。
Claim (excerpt)：
表面と裏面を有し、表面に、直線状に伸び幅をもつ低欠陥単結晶領域Zと、直線状に伸び幅を持ち幅方向の両側に境界線K、Kを有し境界線Kを介して前記低欠陥単結晶領域Zに接する結晶欠陥集合領域H、Hとを有することを特徴とする単結晶窒化ガリウム基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (50)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TB13 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041DB02 ,  5F041DC23 ,  5F041DC78 ,  5F041DC83 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04
Patent cited by the Patent：
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