Pat

J-GLOBAL ID：200903087666260639

マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体

Inventor： 茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  堀野 裕治 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004081782
Publication number (International publication number)：2005255507
Application date： Mar. 22, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【解決課題】 マイクロ波プラズマCVD装置を用いて、ダイヤモンドを高速で成長させることができる手段を提供する。【解決手段】 マイクロ波プラズマCVD装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部7aを基板支持体の外周縁部7bから離隔した位置に有し、載置部7aが基板支持体の外周縁部7bに対して隆起した形状をなしていることとした。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

マイクロ波プラズマCVD装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部を該基板支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が該基板支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなしていることを特徴とする前記基板支持体。

IPC (5)：

C30B29/04 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

FI (5)：

C30B29/04 E ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

F-Term (29)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EG03 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平2-188494号公報
  
• ダイヤモンドの合成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-336315   Applicant：出光石油化学株式会社

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-369311   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-148426   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 特開平4-362095