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J-GLOBAL ID：200903087677105236

半導体装置

Inventor： 九嶋 忠雄 ,  田中 明 ,  斎藤 隆一 ,  鈴木 和弘 ,  小池 義彦 ,  清水 英雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998146896
Publication number (International publication number)：1999340374
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】パワー半導体装置の耐電圧性能の信頼性を向上する。【解決手段】モジュール型のパワー半導体装置において、絶縁板(3a)の表面において、導電体(3b)の端部と絶縁板の外周端との間に位置する領域が、樹脂(4)で被覆され、樹脂の端部は導電体の端部と絶縁板の外周端との間に位置する。【効果】外周端の変形などを起こすような樹脂内の応力が緩和されるので、パワー半導体装置の耐電圧性能が低下しにくくなる。

Claim (excerpt)：

ベース板と、表面に導電体を有し、裏面が前記ベース板に対向するように前記ベース板に搭載される絶縁板と、前記絶縁板を囲む容器と、前記容器内に収納される半導体素子と、前記容器内に充填される第1の樹脂と、を備え、前記絶縁板の前記表面において、前記導電体の端部と前記絶縁板の外周端との間に位置する領域が、第2の樹脂で被覆され、前記第2の樹脂の端部は前記導電体の端部と前記絶縁板の前記外周端との間に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/36

FI (3)：

H01L 23/28 L ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-258618   Applicant：富士電機株式会社