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J-GLOBAL ID：200903087681787694

X線マスク及びこれを用いたX線露光方法

Inventor： 出口 公吉 ,  板橋 聖一 ,  芳賀 恒之 ,  福田 真
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176819
Publication number (International publication number)：2000012436
Application date： Jun. 24, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】微細パタン及び大パタンの両者を良好に形成することができるX線マスク及びこれを用いたX線露光方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン枠1、シリコンカーバイドのメンブレン2、タンタル化合物のX線吸収体層3を用い、X線吸収体層3は微細パタン形成部3Aと大パタン形成部3Bとを有し、微細パタン形成部3Aにパタン寸法が200nm以下の微細パタン4が形成され、大パタン形成部3Bにはアライメントマーク5が形成され、アライメントマーク5のX線を透過すべき領域の内部は200nm以下である微細パタンの集合体で形成されている。

Claim (excerpt)：

基本的なパタン寸法が200nm以下である微細パタンと、前記微細パタンより大きな寸法の大パタンを同一面内に含むX線マスクにおいて、前記大パタンのなかでX線を透過すべき領域の内部が200nm以下である微細パタンの集合体で形成されていることを特徴とするX線マスク。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G21K 5/02

FI (4)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  G21K 5/02 X

F-Term (18)：

2H095BA10 ,  2H095BC09 ,  2H095BE03 ,  2H095BE09 ,  2H097BB01 ,  2H097CA15 ,  2H097GB01 ,  2H097JA02 ,  2H097KA03 ,  2H097KA12 ,  2H097LA10 ,  5F046DA02 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046GA14 ,  5F046GD01 ,  5F046GD03 ,  5F046GD09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• マスクデータ検証装置、マスクデータ作成装置、マスクデータ検証方法、マスクデータ作成方法及び補助パターンマスク作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-213681   Applicant：松下電器産業株式会社