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J-GLOBAL ID：200903087699885383
窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000517131
Publication number (International publication number)：2001520169
Application date： Oct. 15, 1998
Publication date： Oct. 30, 2001
Summary：
【要約】本発明は、第一に、窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル層の製造方法であって、基材上にマスクとして機能する誘電体層を蒸着させ、エピタキシャル蒸着により、マスクされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムパターンの蒸着および該パターンの異方性の横方向成長を生じさせ、個々のパターンが合着するまで横方向成長を続行することを特徴とする方法に関する。窒化ガリウムパターンの蒸着は、誘電体エッチングにより予め行なうか、または1オングストロームのオーダーの厚さを有する誘電体被膜で基材を被覆することにより、その場で行なうことができる。本発明は、該方法により得られる窒化ガリウム層にも関する。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法であって、基材(1)上にマスクとして機能する誘電体層(3)を蒸着させ、エピタキシャル蒸着条件下で、マスクされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムの特徴的構造の蒸着および前記特徴的構造(6)の異方性および横方向成長を生じさせ、横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴とする方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
