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J-GLOBAL ID：200903079340373910
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077245
Publication number (International publication number)：1999191657
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：
【要約】【目的】 基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1あるいは異種基板1上に成長された窒化物半導体層2の表面に、第1の保護膜11を部分的に形成し、その保護膜を介して第1の窒化物半導体3を成長させる。第1の窒化物半導体3は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第1の保護膜11上の第1の窒化物半導体3は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に成長された窒化物半導体の上に、第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、第1の工程後、第1の窒化物半導体を、前記窒化物半導体の上に成長させると共に、第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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特開平4-127521
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特開平3-133182
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半導体層製造装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-002439
Applicant：富士通株式会社
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