Pat
J-GLOBAL ID:200903087728315451
太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000067896
Publication number (International publication number):2001257371
Application date: Mar. 13, 2000
Publication date: Sep. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】 裏面の大部分をフローティング層で覆った太陽電池において、太陽電池の特性を劣化させずに、容易に作製する。【解決手段】 P型半導体基板の少なくとも一部の領域にN型層を形成する工程と、前記N型層の一部にオーミック接合する電極を形成する工程と、前記N型層上の一部にガラスフリットを含有しないアルミ電極形成用ペーストを塗布した後、焼成し、高濃度P型層及びアルミシリコン合金層を形成する工程と、前記形成されたアルミシリコン合金層の少なくとも一部をエッチングする工程と、前記高濃度P型層にオーミック接合する電極を形成する太陽電池作製方法である。
Claim (excerpt):
P型半導体基板の少なくとも一部の領域にN型層を形成する工程と、前記N型層の一部にオーミック接合する電極を形成する工程と、前記N型層上の一部にガラスフリットを含有しないアルミ電極形成用ペーストを塗布した後、焼成し、高濃度P型層及びアルミシリコン合金層を形成する工程と、前記形成されたアルミシリコン合金層の少なくとも一部をエッチングする工程と、前記高濃度P型層にオーミック接合する電極を形成する工程を有することを特徴とする太陽電池作製方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 C
F-Term (8):
5F051AA02
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051DA15
, 5F051DA20
, 5F051EA15
, 5F051FA06
, 5F051HA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
シリコン太陽電池素子及び製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-052674
Applicant:株式会社日立製作所
Return to Previous Page