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J-GLOBAL ID：200903087786527671

n型窒化物半導体層の電極

Inventor： 山田 孝夫
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995173201
Publication number (International publication number)：1997027638
Application date： Jul. 10, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 n型窒化物半導体層と好ましいオーミック接触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安定な変質しにくい電極を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、電極はn型窒化物半導体層と接する側がジルコニウムよりなり、その上にアルミニウムを積層した少なくとも二層構造を有する。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がジルコニウムよりなり、その上にアルミニウムを積層した少なくとも二層構造を有することを特徴とするn型窒化物半導体層の電極。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-224110   Applicant：旭化成工業株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-207274   Applicant：日亜化学工業株式会社