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J-GLOBAL ID:200903087801845650
低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
今村 元
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993213401
Publication number (International publication number):1995048171
Application date: Aug. 04, 1993
Publication date: Feb. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】低温焼成基板の製造に使用される結晶化ガラス系複合組成物において、Ag、Ag-Pd、Au、Cu等の低抵抗導体ペーストと同時焼成でき、高抗折強度(23kgf/mm2 以上)でかつ低誘電率、低誘電正接等の物性を有し、さらに、熱膨脹係数を30〜55×10-7/°Cの間で制御可能であって、AlN等との複合化も可能である基板用組成物の提供を目的とする。【構成】酸化物の重量%表示で、Al2 O3 :45〜58%、SiO2 :20〜35%、B2 O3 :5〜15%、MgO:5〜20%、アルカリ金属酸化物:0〜4%の組成のガラス粉末80.0〜99.9重量%とコージェライトを析出させる外部核剤として作用する無機フィラー0.1〜20.0重量%からなる低温焼成基板用組成物であり、1050°C以下で焼成することにより、ムライトおよびコージェライトを結晶相として析出する。
Claim (excerpt):
酸化物の重量%表示で:Al2 O3 :45〜58%SiO2 :20〜35%B2 O3 : 5〜15%MgO : 5〜20%Li2 O : 0〜 2%Na2 O : 0〜 2%K2 O : 0〜 2%但し、Li2 O+Na2 O+K2 O:0〜4%の組成のガラス粉末80.0〜99.9重量%と比表面積が、平均で1.4m2/g以上である無機フィラー0.1〜20.0重量%からなる低温焼成基板用組成物。
IPC (3):
C04B 35/18
, H01L 23/15
, H05K 1/03
FI (2):
C04B 35/18 Z
, H01L 23/14 C
Patent cited by the Patent: