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J-GLOBAL ID：200903087849046946

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 副島 玲子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999139491
Publication number (International publication number)：2000332365
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、基板側電極、特に、n側電極をオーミック化するための熱処理温度を低温化し、活性層の劣化を防止する。【解決手段】 一導電型SiC基板の一方の主面上に少なくとも発光層を含むナイトライド系化合物半導体層を設けるとともに、一導電型SiC基板の他方の主面と基板側電極との間に半導体層を設ける。

Claim (excerpt)：

一導電型SiC基板の一方の主面上に少なくとも発光層を含むナイトライド系化合物半導体層を設けた半導体発光素子において、前記一導電型SiC基板の他方の主面と基板側電極との間に半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

F-Term (20)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA92 ,  5F041FF16 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-033662   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭59-214224