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J-GLOBAL ID：200903087860396509
半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002140475
Publication number (International publication number)：2003332271
Application date： May. 15, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウエハを薄膜化した後もその強度を維持し、半導体ウエハの反りや割れを低減する。【解決手段】 半導体ウエハW上に、IGBTを構成するゲート酸化膜、ゲート電極GE、ベース領域11およびエミッタ領域を形成し、ゲート電極GE上に酸化シリコン膜を形成し、さらに、この上部にエミッタ電極21aを形成し、その上部にパッシベーション膜27を形成した後、半導体ウエハWの裏面の内部領域INを研磨し、その外周部に突起部33を形成した後、半導体ウエハWの裏面から不純物を注入することによりコレクタ領域35を形成し、さらに、コレクタ電極37を形成した後、内部領域INよりも小さいステージSt上に半導体ウエハWを搭載し、スクライブ領域に沿ってダイシングする。このように、突起部33によってウエハの強度が保持され、さらに、上記のようにダイシングすることによりウエハの割れ等を低減できる。
Claim (excerpt)：
(a)スクライブ領域によって区画された複数のチップ領域を有する半導体ウエハを準備する工程と、(b)前記半導体ウエハ裏面の内部領域を研磨することにより前記半導体ウエハの裏面の外周部に突起を形成する工程と、(c)前記半導体ウエハを、その表面が前記半導体ウエハの内部領域より小さい支持台に搭載し、前記半導体ウエハの裏面の内部領域を前記支持台により支持する工程と、(d)前記(c)工程の後、前記半導体ウエハの表面のスクライブ領域を切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 621
H01L 21/304 621 B
, H01L 21/78 Q
