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J-GLOBAL ID：200903087963537216

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア
Applicant, Patent owner： 株式会社光波
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004325757
Publication number (International publication number)：2006135268
Application date： Nov. 09, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：

【課題】 結晶品質の高いGaN系化合物からなる単結晶薄膜を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この発光素子10は、(100)面または(801)面を主面とするβ-Ga2O3単結晶からなるGa2O3基板11と、Ga2O3基板11上にバッファ層12を介してn-GaNクラッド層13、InGaN発光層14、p-AlGaNクラッド層15、p-GaNコンタクト層16を積層してなるものである。Ga2O3基板11のβ-Ga2O3単結晶の結晶方位〈010〉であるとき、バッファ層12、n-GaNクラッド層13、InGaN発光層14、p-AlGaNクラッド層15のGaN系化合物薄膜の結晶方位〈11-20〉であり、ほぼ平行している。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

主面を有するβ-Ga2O3系単結晶からなる基板と、 前記基板の主面上に形成され、c軸が前記主面に対しほぼ垂直であるウルツ鉱型構造GaN系化合物からなるバッファ層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/323

FI (4)：

H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01S5/323 610

F-Term (32)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN02 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152NN06 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AG11 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH41 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特公昭52-36117号公報
  

Cited by examiner (2)

• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137912   Applicant：株式会社光波
• 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-330238   Applicant：パイオニア株式会社