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J-GLOBAL ID:200903080373081000
発光素子およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003137912
Publication number (International publication number):2004056098
Application date: May. 15, 2003
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】可視領域から紫外領域の光を透過する無色透明の導電体を得ることができ、その導電体を基板に用いて垂直構造とすることが可能であり、基板側をも光の取り出し面とすることができる発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】制御された雰囲気の高温炉の中に、原料融液9が毛細管現象で継続的に上面にまで上昇可能なスリット8aを有するスリットダイ8と、該スリットダイ8および原料融液9を収納するルツボ6とにより、スリットダイ8の上面と同一断面形状を有する単結晶を育成するEFG法により、基板を製造する。この基板上にMOCVD法によりIII-V族系、II-VI族系、あるいはその両者の薄膜を成長させる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
ガリウム酸化物の基板と、前記基板上に形成されたpn接合部とを含むことを特徴とする発光素子。
IPC (1):
FI (2):
H01L33/00 C
, H01L33/00 D
F-Term (12):
5F041AA14
, 5F041AA42
, 5F041CA02
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA84
, 5F041CA92
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-238146
Applicant:日亜化学工業株式会社
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ZnO系半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-260742
Applicant:信越半導体株式会社
-
単結晶の育成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-253626
Applicant:株式会社信光社
-
III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-157588
Applicant:昭和電工株式会社
-
紫外透明導電膜とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-182643
Applicant:科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛
-
β-Ga2O3系単結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-046552
Applicant:学校法人早稲田大学
-
薄膜単結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-066020
Applicant:学校法人早稲田大学
-
Ga2O3系発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-137916
Applicant:学校法人早稲田大学
-
特開昭62-091487
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ルチル単結晶の育成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-371457
Applicant:並木精密宝石株式会社
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セラミックス複合材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-023403
Applicant:宇部興産株式会社
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LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-015389
Applicant:日本電信電話株式会社
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ガーネット単結晶膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-109045
Applicant:株式会社村田製作所
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GaN系化合物半導体結晶およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-119759
Applicant:株式会社日鉱マテリアルズ
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