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J-GLOBAL ID：200903087970169028

半導体発光素子およびその製法

Inventor： 田尻 博
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218551
Publication number (International publication number)：1996083928
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低コストで、かつ、光の取出し効率のよい半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層4およびp型層6を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体発光素子であって、前記基板が酸化ケイ素基板からなっている。

Claim (excerpt)：

酸化ケイ素基板からなる基板上に少なくともn型層およびp型層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭49-019782
  
• 特開昭58-182834
  
• 特開昭53-039274
  
• 電子機能素子用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-281218   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭49-019782
  
• 特開昭58-182834
  
• 特開昭53-039274