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J-GLOBAL ID：200903087972156284
プラズマエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994064264
Publication number (International publication number)：1995273071
Application date： Apr. 01, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 MIS型半導体装置の微細なゲート電極をBr系等のエッチングガスによりプラズマエッチングする場合において、下地ゲート絶縁膜のダメージを防止するとともに、エッチング終了後の希フッ酸洗浄におけるゲート絶縁膜の増速エッチングを防止する。【構成】 基板ステージ上面から被エッチング基板裏面に供給する熱伝導ガスとして、Xeを用いる。またオーバーエッチングへの切り替えのタイミングを下地ゲート絶縁膜が露出する前に設定する。【効果】 Xeのプラズマ発光の主スペクトルラインは、従来のHeのそれより長波長側にあり、フォトンエネルギが小さい。このためVUV光照射によるダメージが低減される。またゲート絶縁膜露出前に低イオンエネルギの条件に切り替えるので、ゲート絶縁膜のイオンダメージを防止できる。
Claim (excerpt)：
基板ステージ上面より被エッチング基板裏面に向け熱伝導ガスを供給しつつ、下地絶縁膜上のSi系材料層をパターニングするプラズマエッチング方法において、該熱伝導ガスがエッチングチャンバ内に拡散して生成するプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギが、Heのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギより小さな熱伝導ガスを供給しつつパターニングすることを特徴とする、プラズマエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/3065
H01L 21/302 Z
, H01L 21/302 A
, H01L 21/302 E
Cited by examiner (8)
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