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J-GLOBAL ID：200903088035720723

層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置

Inventor：
前田 和夫

About 前田 和夫


Applicant, Patent owner：
キヤノン販売株式会社

About キヤノン販売株式会社

, 
株式会社半導体プロセス研究所

About 株式会社半導体プロセス研究所


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000009418
Publication number (International publication number)：2000332010
Application date： Jan. 18, 2000
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】被形成体104上に、少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を含む第1の絶縁膜106を形成し、前記第1の絶縁膜106を熱処理することにより、該第1の絶縁膜106の中から少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を放出して、該第1の絶縁膜106を多孔性を有する絶縁膜にし、前記多孔性を有する絶縁膜106の上に第2の絶縁膜107を形成する層間絶縁膜の形成方法による。
Claim (excerpt)：
被形成体上に、少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を含む第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜を熱処理することにより、該第1の絶縁膜の中から少なくともH2 O、OH、C、又は炭化水素のいずれか一を放出して、該第1の絶縁膜を多孔性を有する絶縁膜にし、前記多孔性を有する絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 N
F-Term (47)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ81 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF32 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF72 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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