半導体装置及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994323302
Publication number (International publication number)：1996181302
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】低抵抗なソース/ドレイン部を有する薄膜トランジスタ、および低温プロセスで簡易な製造方法を提供する。【構成】シリコンを含む半導体膜と、ゲート絶縁膜と、陽極酸化された酸化膜によって被覆されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、不純物ドーピングされたソース/ドレイン部表面にリンまたはボロン元素を2×1019〜2×1021個/cm3濃度含み、特に1×1019〜4×1021個/cm3濃度の水素元素を含むシリサイド層を設けるような構成または製造方法とする。

Claim (excerpt)：

リンまたはボロン元素を含み、かつ1×1019〜4×1021個/cm3濃度の水素元素を含むシリサイド層を有する半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/43 , H01L 21/28 301 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/46 D , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-297650 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-166512
特開昭59-110115

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