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J-GLOBAL ID：200903088045814491

半導体発光装置

Inventor：
荻原 光彦

About 荻原 光彦

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中村 幸夫

About 中村 幸夫

, 
浜野 広

About 浜野 広

, 
谷中 真澄

About 谷中 真澄


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998179956
Publication number (International publication number)：2000012905
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発光効率の向上を図る。【解決手段】 n型のAlx Ga1-x As層103の上の最上層にn型のGaAs層104を形成した半導体基板100を用い、半導体基板100の表面から選択的にp型不純物であるZnを拡散させることにより、GaAs層104内およびAlx Ga1-x As層103内にp型拡散領域106を形成し、半導体基板100の表面にエッチング領域110を形成することにより、GaAs層104内の横方向拡散フロント130b、およびGaAs層104とAlx Ga1-x As層103の界面近傍の横方向拡散フロント130bを除去し、拡散フロント130およびこの拡散フロント130によるpn接合109がAlx Ga1-x As層103の内部だけに存在する構造とする。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体層を有する半導体基板の基板上面から第1導電型の半導体層に第2導電型の不純物を選択的に拡散することによりpn接合を有する発光素子を形成した半導体発光装置において、基板上面付近の第2導電型不純物拡散領域の少なくとも横方向拡散フロントが、エッチング除去されていることを特徴とする半導体発光装置。
F-Term (14)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA72 ,  5F041CA74 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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