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J-GLOBAL ID：200903088105285817
アルミニウム基体表面にセラミックス皮膜を形成させる方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001370211
Publication number (International publication number)：2003171794
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ナトリウムやカリウム等のアルカリ金属を実質的に含有せずに、陽極火花放電により表面粗さの小さいセラミックス皮膜を形成できる方法を提供すること。【解決手段】 (a)窒素原子含有カチオン及び(b)アルミニウムに対する安定度定数が9以上のアミノカルボン酸アニオンを含有する水性電解浴中で、陽極火花放電によりアルミニウム又はアルミニウム合金基体表面に、酸化アルミニウムを含有するセラミックス皮膜を形成させることを含むセラミックス皮膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
(a)窒素原子含有カチオン及び(b)アルミニウムに対する安定度定数が9以上のアミノカルボン酸アニオンを含有する水性電解浴中で、陽極火花放電によりアルミニウム又はアルミニウム合金基体表面に、酸化アルミニウムを含有するセラミックス皮膜を形成させることを特徴とするセラミックス皮膜の形成方法。
IPC (2)：
C25D 11/04 101
, C25D 11/06
C25D 11/04 101 E
, C25D 11/06 C
