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J-GLOBAL ID：200903088110787880

ダイヤモンドn型ドープ層の形成方法

Inventor： 宮本 良之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996317628
Publication number (International publication number)：1998158093
Application date： Nov. 28, 1996
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ミクロなデバイス素子として応用できるダイヤモンドn型ドープ層の形成方法を提供する。特に、薄膜化が可能であり、さらに選択的にn型半導体領域を形成できる方法を提供する。【解決手段】 CVD法等によりダイヤモンド層を成長させ、その最終段階で窒素原子を含むガスを用いて表面近傍層に限ってドナーを注入し、次いで、ダイヤモンド層のダングリングボンドを水素原子で終端した後、選択的に水素原子を離脱させることを特徴とするダイヤモンドn型ドープ層の形成方法。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド層を形成後、その表面近傍層に限ってドナーを注入することを特徴とするダイヤモンドn型ドープ層の形成方法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/04 V ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ダイヤモンドの形成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302130   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平1-048715