電流検出機能付電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大菅義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269908
Publication number (International publication number)：1994120495
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、高精度な電流検出が可能な電流検出機能付電界効果トランジスタを実現することである。【構成】本発明の電流検出機能付MOS型電界効果トランジスタ1は、主電流を流すメイントランジスタ部2と、該メイントランジスタ部2に流れる電流を検出するセンストランジスタ部3とを備え、該2つのトランジスタ部2,3においてMOS型FETセルのドレインを共通にし、かつゲート及びソースを各々独立に設けている。したがって、前記2つのトランジスタ部2,3の各MOS型FETセルのゲート・ソース間の電位差が常に等しくなるように前記2つのトランジスタ部2,3の各MOS型FETセルのゲート電圧を制御することができ、センストランジスタ部3を流れる電流Id を測定することにより、主電流ID 及び負荷に流れる電流Iを高精度に検出できる。

Claim (excerpt)：

主電流を流すメイントランジスタ部と該メイントランジスタ部に流れる電流を検出するセンストランジスタ部とを備え、該2つのトランジスタ部内の各電界効果トランジスタセルのドレイン(又はソース)が共通であって、かつゲート及びソース(又はドレイン)が各々独立に設けられていることを特徴とする電流検出機能付電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 T , H01L 29/78 321 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-270274
特開平3-238869
特開平4-361571

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