基板表面処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237519
Publication number (International publication number)：1999080958
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】より高い均質処理を可能とした基板表面処理装置を得る。【解決手段】ガスを所定の温度とするための熱媒体循環路は、熱媒体の貫流の為の熱媒体入口20と接続された上流環1と、所定の熱媒体の熱媒体出口21と接続された下流環2と、上流環1と下流環2との間を互いに平行方向に接続し熱媒体の流路を形成する少なくとも2個の熱伝達路3a、3bとを有し、隣接する熱伝達路3a、3b間の上流環1から下流環2への流路方向を交互として形成される。このため、熱伝達路3a、3bに隣接する領域の温度差が高/低/高/低・・・・、と構成され、熱変換板を均一に加熱、あるいは冷却することが可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板等の基板表面へ所定のガスを吹き付け該基板表面へ表面処理を施す基板表面処理装置において、熱媒体の貫流の為の熱媒体入口(20)と接続された上流環(1)と、前記所定の熱媒体の熱媒体出口(21)と接続された下流環(2)と、前記上流環(1)と下流環(2)との間を互いに平行方向に接続し前記熱媒体の流路を形成する少なくとも2個の熱伝達路(3a、3b)とを有し、隣接する前記熱伝達路(3a、3b)間の前記上流環(1)から下流環(2)への流路方向を交互とし、前記ガスを所定の温度とするための熱媒体循環路が構成されたことを特徴とする基板表面処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/44 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-108465 Applicant：株式会社荏原製作所

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