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J-GLOBAL ID：200903013480843886

薄膜気相成長装置

Inventor： 竹内 則行 ,  村上 武司 ,  篠崎 弘行 ,  塚本 究 ,  中庭 勝 ,  松田 尚起
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108465
Publication number (International publication number)：1997002896
Application date： Apr. 04, 1996
Publication date： Jan. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 気相成長の際に基板を所定の温度に維持するとともに、反応室を取り囲む各部の温度を精密に制御することができる薄膜気相成長装置を提供する。【解決手段】 基板13を搭載するステージ12と、ステージ12に対向する位置に設けられ、基板13に薄膜を成長させるための原料ガスを基板13に吐出するシャワーヘッド16と、反応室11を形成する反応容器10とを有する薄膜気相成長装置であって、シャワーヘッド16と反応容器10とで構成される部分には部分の温度を制御する温度制御手段31,32,33,34,35を複数設け、温度制御手段のうち少なくとも一つは熱媒体が流通するように構成した。

Claim (excerpt)：

基板を搭載するステージと、該ステージに対向する位置に設けられ、前記基板に薄膜を成長させるための原料ガスを前記基板に吐出するシャワーヘッドと、反応室を形成する反応容器とを有する薄膜気相成長装置であって、前記シャワーヘッドと反応容器とで構成される部分には該部分の温度を制御する温度制御手段を複数設け、該温度制御手段のうち少なくとも一つは熱媒体が流通するように構成したことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (5)：

C30B 25/16 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5)：

C30B 25/16 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコン酸化膜の成膜方法およびCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-217037   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-145335   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138253   Applicant：株式会社東芝