半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211637
Publication number (International publication number)：1997064298
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】誘電体膜としてペロブスカイト誘電体膜薄膜を使用した場合、サイドウォールとしてポリシリコン膜が使用できず、キャパシタ容量を大きくすることができなかった。【解決手段】ペロブスカイト誘電体膜薄膜からなる誘電体膜13と直接接触するキャパシタの下部電極を、電極層10と金属材料の第1のサイドウォール15とで構成する。【効果】誘電体膜と下部電極との接触面積が増加し、キャパシタ容量を大きくできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板と前記ゲート電極との表面に形成され前記半導体基板と接続されたバリア層と、前記バリア層の上部に形成された電極層と、前記バリア層と前記電極層との側壁に形成された第1のサイドウォールと、前記電極層と前記第1のサイドウォールとの表面上を覆うペロブスカイト誘電体膜薄膜からなる誘電体膜と、前記誘電体膜の表面上を覆う上部電極とを備えた半導体記憶装置において、前記第1のサイドウォールが金属材料から構成されており、かつ前記電極層と前記第1のサイドウォールとで下部電極が構成されている事を特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01B 3/12 301

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01B 3/12 301 , H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196766 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078663 Applicant：現代電子産業株式会社

Cited by examiner (2)

マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196766 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078663 Applicant：現代電子産業株式会社

Return to Previous Page