蒸着源及び成膜装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：石島茂男 , 阿部英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002172607
Publication number (International publication number)：2004018899
Application date： Jun. 13, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】成膜速度を落とさずに膜質の良い薄膜を成膜する。【解決手段】本発明の蒸着源3は磁力線形成手段7を有しており、アーク電流によって発生する磁界が弱まり、その磁界により正の微小下線粒子に及ぼす力が弱くなったとしても、磁力線形成手段7の磁力線によって正の微小荷電粒子の飛行方向が修正され、基板52に到達するように構成されている。従って、本発明の蒸着源3を用いれば、アーク電流を小さくしても、微小荷電粒子の成膜対象物52到達率が低くならず、従来技術の成膜装置のように成膜速度が低下することがない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アノード電極と、トリガー電極と、蒸着材料とを有し、前記アノード電極と前記トリガー電極はそれぞれ前記蒸着材料の近傍に配置され、前記アノード電極と前記蒸着材料との間に電圧を印加した状態で、前記蒸着材料と前記トリガー電極との間に電圧を印加すると、前記トリガー電極と前記蒸着材料との間に生じたトリガー放電により、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電が誘起され、前記アーク放電を維持するアーク電流は、前記蒸着材料を通って、前記蒸着材料から遠ざかる方向に流れ、前記蒸着材料から放出された正の微小荷電粒子は、前記アーク電流が形成する磁界によって、前記アーク電流が流れる方向とは逆方向に飛行するように構成された蒸着源であって、磁力線形成手段を有し、前記磁力線形成手段の一方の磁極は前記アーク電流の流れる方向に向けられ、他方の磁極は前記アーク電流の流れる方向とは逆方向に向けられた蒸着源。

IPC (3)：

C23C14/24 , C23C14/32 , H01L21/285

FI (4)：

C23C14/24 F , C23C14/24 A , C23C14/32 A , H01L21/285 P

F-Term (8)：

4K029DA10 , 4K029DB12 , 4K029DD06 , 4K029EA02 , 4K029EA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104DD34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

同軸型真空アーク蒸着源を有する蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-177590 Applicant：日本真空技術株式会社
特許第2851320号

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