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J-GLOBAL ID：200903032681204932

同軸型真空アーク蒸着源を有する蒸着装置

Inventor：
阿川 義昭

About 阿川 義昭

, 
山本 佳宏

About 山本 佳宏


Applicant, Patent owner：
日本真空技術株式会社

About 日本真空技術株式会社


Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177590
Publication number (International publication number)：2001011606
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】高品質の薄膜を形成できる同軸型真空アーク蒸着源を提供する。【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源5のアノード電極30の外周に筒状の磁石31を配置する。磁石31が形成する磁力線に、アノード電極30の開放口から漏れ出た電子が巻き付き、電子雲が形成される。蒸着材料の微小粒子は正電荷を有しているため、その電子雲に引きつけられ、磁力線で捕集された状態で基板22表面に到達し、薄膜を成長させる。巨大粒子は電荷に比して質量が大きいため、捕集されず、薄膜中に混入しない。
Claim (excerpt)：
前記真空槽内に配置された筒状のアノード電極と、中心軸線を前記アノード電極の中心軸線と略一致させ、該アノード電極内部に配置された柱状の蒸着材料と、前記蒸着材料の側面近傍に非接触の状態で配置されたトリガ電極とを有し、前記トリガ電極と前記蒸着材料の間で発生したトリガ放電によって、前記アノード電極内壁面と前記蒸着材料側面との間にアーク放電を誘起させ、前記蒸着材料側面から放出された微小粒子を前記アノード電極の開放口から放出させる同軸型真空アーク蒸着源であって、前記アノード電極の外側には磁石が配置されたことを特徴とする同軸型真空アーク蒸着源。
IPC (2)：
C23C 14/24 ,  H01L 21/203
FI (3)：
C23C 14/24 F ,  C23C 14/24 D ,  H01L 21/203 Z
F-Term (5)：
4K029DD06 ,  5F103AA01 ,  5F103BB14 ,  5F103DD28 ,  5F103LL20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特公昭60-036468
  • プラズマ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-032328   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特公昭60-036468
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