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J-GLOBAL ID：200903088311044630

量子ドット半導体レーザ

Inventor： 斎藤 英彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000325405
Publication number (International publication number)：2002134841
Application date： Oct. 25, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 量子ドットレーザの高速変調を可能にする。【解決手段】 活性層を構成する量子ドット構造とキャリア注入用の量子井戸構造とを具備し、量子井戸構造のいずれか二つの量子準位である第1準位と第2準位間のエネルギー差が、第2準位より低エネルギーの第1準位と、第1準位より低エネルギーの量子ドット構造のいずれかの量子準位とのエネルギー差に等しい構成とする。

Claim (excerpt)：

活性層を構成する量子ドット構造とキャリア注入用の量子井戸構造とを具備し、前記量子井戸構造のいずれか二つの量子準位である第1準位と第2準位間のエネルギー差が、第2準位より低エネルギーの第1準位と、第1準位より低エネルギーの前記量子ドット構造のいずれかの量子準位とのエネルギー差に等しいことを特徴とする半導体レーザ。

F-Term (6)：

5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA04 ,  5F073EA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277559   Applicant：日本電気株式会社