核上に単結晶シリコンカーバイドを形成するための装置および方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088467
Publication number (International publication number)：1998036195
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のシリコンカーバイドの形成装置においては、結晶品質を低下させるグラファイト化が起こっていた。【解決手段】核上にSiCを形成するための装置であって、るつぼを形成するとともに少なくとも1つの壁(102、110、112)によって画成されかつSiC核122を受容し得る第1容器100と、SiCソースを形成するSiC粉末貯蔵器118と、SiCソースとSiC核122との間に第1温度勾配を確立し得る加熱手段120と、を具備してなり、前記壁(102、110、112)が、実質的に、少なくとも1つのSiC層116により囲まれている。

Claim (excerpt)：

核上にSiCを形成するための装置であって、るつぼを形成するとともに、少なくとも1つの壁によって画成され、かつ、SiC核を受容し得る第1容器と、SiCソースを形成するSiC粉末貯蔵器と、前記SiCソースと前記SiC核との間に第1温度勾配を確立し得る加熱手段と、を具備してなり、前記壁が、実質的に、少なくとも1つのSiC層により囲まれていることを特徴とする装置。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-066000
特開昭50-047900
特開平4-055397

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