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J-GLOBAL ID：200903088331936677

珪素単結晶基板表面の平滑化方法

Inventor： 羽深 等 ,  大塚 徹 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997209714
Publication number (International publication number)：1999040540
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗率珪素単結晶からなるウェーハの表面を微視的に平滑化する。【解決手段】 通常の鏡面仕上げが施されたウェーハ表面に成長している自然酸化膜をHF/H2 混合ガスを用いて100°C未満で除去した後、付着有機物をHCl/H2 混合ガスを用いて800°C未満で除去する。一貫したH2 雰囲気下で、酸化膜の再成長が抑制される。この間、ウェーハの表面粗さはほとんど変化しない。続いて、800°C以上1000°C未満の温度にてH2 ガス雰囲気中でウェーハの熱処理を行う。珪素単結晶基板のエッチング過程と生成したシラン系化合物の分解による珪素原子の堆積過程とが競合してウェーハ表面の微視的な凹凸が緩和され、鏡面仕上げ時よりも平滑度が向上する。すべてのプロセス温度が1000°C未満であるため、ウェーハ中の不純物の気化が抑制され、低抵抗率も維持できる。

Claim (excerpt)：

珪素単結晶基板の表面に存在する自然酸化膜を、該自然酸化膜に収着されている水分を保持し得る第1の温度にて、フッ化水素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で除去する第1工程と、前記珪素単結晶基板の表面に存在する付着有機物を、前記第1の温度よりも高くかつ該珪素単結晶基板の表面粗さを維持し得る第2の温度にて、塩化水素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で除去する第2工程と、前記珪素単結晶基板を前記第2の温度よりも高い第3の温度にて、水素ガス雰囲気中で加熱する第3工程とを有することを特徴とする珪素単結晶基板表面の平滑化方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

FI (3)：

H01L 21/302 P ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体基板の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017920   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225444   Applicant：株式会社日立製作所