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J-GLOBAL ID：200903088336842220
半導体多層膜反射鏡
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991357102
Publication number (International publication number)：1993175550
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 反射波長域のずれを生じることなく、バンドの不連続に起因する電気抵抗の増加を抑制する。【構成】 第1半導体32と第2半導体36との間に、それ等の中間のバンドギャップを有する中間層34,38を挿入する。また、反射すべき光の中心波長をλB 、第1半導体32の屈折率をn1 、中間層34,38の屈折率をn2 、膜厚をt2 ,t4 、第2半導体36の屈折率をn3 とした時、第1半導体32の膜厚t1 および第2半導体36の膜厚t3 を次式(1),(2)に従って定めるようにした。【数1】t1 ={(λB /4)-(t2 +t4 )n2 /2}/n1 ・・・(1)t3 ={(λB /4)-(t2 +t4 )n2 /2}/n3 ・・・(2)
Claim (excerpt)：
バンドギャップが異なる第1半導体および第2半導体が交互に積層されて、入射した光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡において、前記第1半導体および第2半導体の中間のバンドギャップを有する中間層を挟んで該第1半導体と第2半導体とを交互に積層したことを特徴とする半導体多層膜反射鏡。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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