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J-GLOBAL ID：200903088362627664

レーザ加工用誘電体マスクとその製造方法

Inventor： 雨宮 恭子 ,  寺林 隆夫 ,  佐藤 秀己 ,  田中 秀明 ,  今井 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035566
Publication number (International publication number)：1995241690
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】レーザ加工において、場所的に深さの異なる複数個のパターンを同時に形成することを目的とする。【構成】ガラス基板上の誘電体多層膜を、場所的に膜厚の異なるマスクパターンに加工することでレーザ加工用誘電体マスクを形成する。マスクパターンは、ホトリソグラフィ及びイオンミリングまたは反応性イオンミリングまたは反応性イオンエッチングの組合せで加工されるが、少なくとも2回以上の露光及びエッチングまたはイオンミリング時のイオンビームの遮蔽板の移動またはレジストのポストベーク条件等により、場所的に膜厚の異なるパターンを形成する。このマスクを通過したレーザ光のエネルギ密度は、誘電体多層膜の膜厚の違いに依存して変化し、場所的に異なるエネルギ密度分布となるため、場所的に深さの異なる複数個の穴を同時に加工することが可能となる。

Claim (excerpt)：

使用する波長のレーザ光を透過する基板上に設けた誘電体多層膜からなる反射膜に膜厚分布をつけることにより、レーザ光透過率を局所的に変化させることを特徴とするレーザ加工用誘電体マスク。

IPC (7)：

B23K 26/00 330 ,  B23K 26/06 ,  C23F 4/00 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/26 511 ,  H05K 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• レーザ加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154765   Applicant：松下電器産業株式会社