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J-GLOBAL ID：200903088429645166

半導体電極及び光電池

Inventor： 廣瀬 英一 ,  佐藤 克洋 ,  今井 彰 ,  小野 好之 ,  高田 北斗 ,  阿形 岳
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999041464
Publication number (International publication number)：2000243464
Application date： Feb. 19, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率、安定性等に優れ、安価にかつ容易に製造することができ、広い分野で好適な半導体電極を提供する。【解決手段】 導電性基体上に、有機微粒子が凝集してなる光電変換層を有することを特徴とする半導体電極である。前記有機微粒子が、有機色材を高分子有機化合物中に分散してなる態様、前記有機微粒子が、有機色材及び高分子有機化合物を溶剤中に溶解乃至分散させた油性相成分を、水性相中で造粒して得られる態様、前記有機色材が、下記一般式(1)で表される化合物から選択される少なくとも1種である態様、などが好ましい。一般式(1)【化1】

Claim (excerpt)：

導電性基体上に、有機微粒子が凝集してなる光電変換層を有することを特徴とする半導体電極。

IPC (4)：

H01M 14/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/04 D

F-Term (25)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104GG05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB20 ,  4M118EA20 ,  5F051AA14 ,  5F051BA15 ,  5F051GA02 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• センサー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-165762   Applicant：財団法人川村理化学研究所
• 複合多孔性センサーの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-064271   Applicant：工業技術院長
• 光電変換材料用半導体およびそれを用いた化学電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110479   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 光電池
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-511641   Applicant：ヘキスト・リサーチ・アンド・テクノロジー・ドイチュラント・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー